華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線；

•  品牌： 華科智源

•  名稱： 柵極電阻測(cè)試儀

•  型號(hào)： HUSTEC-CV-1200

•  用途： 測(cè)試MOS管結(jié)電容，Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)

柵極電阻/電容測(cè)試儀

可測(cè)參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試

可測(cè)器件： IGBT，二極管，氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等 

測(cè)試頻率：1MHz  

測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V，Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV 

Rg 范圍：≤300Ω

測(cè)試精度：0.01pf 

華科智源柵極電阻/柵極電容測(cè)試儀特點(diǎn)： 

1，測(cè)試速度快。 

2，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線。

3，測(cè)試精度高，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)。

4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形，可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件。