電光Q開關 普克爾斯盒 各種不同的類型的縱向和橫向普克爾斯盒,用于調(diào)制、Q開關、脈沖切片和脈沖選擇。 1. 新的,超小型集成普克爾斯盒  詳細規(guī)格: 參數(shù) | EM508UC | 孔徑: | 8mm | 波長范圍: | 1064nm * | 半波電壓 @ 1.06µm: | Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic | 電壓: | 8kV | 光學上升時間: | < 1.0 ns | 對比度 @ 1.06µm: | > 1000:1 | 電容無端接的: | < ~5 pF | 損傷閾值: | 600 MW/cm2 | 插入損耗 (P-polarization): | 4% | 消光比: | >300:1 ** | *標準波長1064納米,但可選的設備可以為其他波長,取決于布魯斯特偏振器的可用性- 515 nm、532 nm、1030 nm、1047 nm和1047 nm也是可能的。 * *偏振器有限的 2. 超微型普克爾斯盒  詳細規(guī)格: 參數(shù) | EM510C | 孔徑: | 8mm | 波長范圍: | 1030-1064nm | 半波電壓 @ 1.06µm: | Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic | 電壓: | 8kV | 光學上升時間: | < 1.0 ns | 對比度 @ 1.06µm: | > 1000:1 | 電容無端接的: | < ~5 pF | 損傷閾值: | 600 MW/cm2 | 插入損耗 with AR coatings: | 4% | 外形尺寸: | 25mm Æ, 43mm long | 3. 高功率BBO普克爾斯盒  典型的規(guī)格: 參數(shù) | Value | 透射率(e.g. at 1064nm): | >98.5% | 有效孔徑; | 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8mm standard * | 半波電壓 at 1064nm: | Approx. 7kV for 3x3x20mm crystal ** | 對比度: | >up to 30dB typically | 電容: | >From 5 to 10pF typically | 損傷閾值; | >1GW/cm2 at 1064nm (t = 10ns) | 可用波長: | 220nm - 2,000nm *** | BBO-X-20: 20mm long, 單個晶體: | | BBO-X-25: 25mm long, 單個晶體: | | BBO-X-40: 40mm long, 兩個晶體: | | BBO-X-50: 50mm long, 兩個晶體: | | *大光圈可用但實際工作電壓的局限性導致了一些限制,例如,可能需要兩倍晶體盒。 * *其他晶體尺寸的電壓將與孔徑和反向長度成線性比例。 * * *長波長可能限制孔徑因為電壓的限制。 4. 100KHz RTP普克爾斯盒  詳細規(guī)格: 參數(shù) | Value | 透射率 at 1064nm: | >98.5% | 有效孔徑: | 3, 4 and 6mm | 半波電壓 at 1064: | 1,000V, 1,300V and 2,000V | 對比度: | >20dB | 接受角: | >1° | 損傷閾值: | >600MW/cm2 at 1064nm (t = 10ns) | 外形尺寸: | 35mm Æ, 45mm long | 5. Q-Switches KD*P 普克爾斯盒(標準產(chǎn)品)  詳細規(guī)格: 型號 | EM508 | EM510 | EM512 | EM565 | | 孔徑: | 8mm | 10mm | 12mm | 16mm | | 波長范圍: | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | 0.3-1.2µm | | 半波電壓 (DC) @ 1.06µm: | 6.0kV | 6.0kV | 6.2kV | 6.3kV | | 典型的上升時間: | < 0.5ns | < 0.5ns | < 0.5ns | < 0.6ns | | 電壓: | 10kV | 10kV | 10kV | 10kV | | 對比度 @ 1.06µm: | > 1000:1 | > 1000:1 | > 1000:1 | > 1000:1 | | 晶體長度: | 25mm | 25mm | 25mm | 30mm | | 電容無端接的: | 15pf | 15pf | 15pf | 20pf | | 損傷閾值Q-switched: | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | 600MW/cm2 | | | 插入損耗: | 4% | 4% | 4% | 4% | | 終端: | H.V.BNC | H.V.BNC | H.V.BNC | H.V.BNC | | 表面處理: | Black anodised | Black anodised | Black anodised | Black anodised | | | 外形尺寸: | 50mmdia.50mm long | 50mmdia.55mm long | 50mmdia.55mm long | 60mmdia.70mm long | | 6. 兩個晶體縱模普克爾斯盒  詳細參數(shù): 參數(shù) | 性能 | | 孔徑: | 8mm | | 波長范圍: | 0.3-1.2µm | | 半波電壓 @ 1.06µm: | 3.0kV | | 電壓: | 5kV | | 光學上升時間: | < 0.25ns | | 對比度 @ 1.06µm | > 600:1 | | 電容無端接的: | 30pf | | 損傷閾值 Q-switched: | 600MW/cm2 | | 插入損耗: | 7% | | 終端: | H.V.BNC | | 表面處理: | Black anodised | | | 外形尺寸: | 50mm dia. | | 72mm long | | 另外我們還提供超快普克爾斯盒,三個電極普克爾斯盒,橫向磁場普克爾斯盒。如果您需要的話,請聯(lián)系我們! 7. 電光偏轉(zhuǎn)器q開關  偏轉(zhuǎn)器規(guī)格: 孔徑 | 1mm | 2mm | 3mm | 偏轉(zhuǎn)器長度 | 11m | 20mm | 25mm | 偏轉(zhuǎn)角 for 1kV drive | 5mrad | 3mrad | 1.5mrad | 光損耗 ar/ar at 1.06mm | < 1% | < 1% | < 1% | 外形尺寸(mm, excluding connections) | 25 x 25 x 11 | 20 x 20 x 31 | 20 x 20 x 31 | 連接器 | SMA | SMA | SMA | 電容 | 50pF | 50pF | 50pF | 轉(zhuǎn)換速度 | Driver limited | Driver limited | Driver limited | 固態(tài)20KHz驅(qū)動規(guī)格: 功率輸入 | +9V or +12V @ 0.7A D.C. | 輸出 | +900V pulse | 額定脈沖寬度 | 20 - 100ns, internally adjustable | 上升時間 在 50pF 電容 | £10ns | 觸發(fā)輸入 | 2 - 5V with 10ns rise time into 50W | 重復頻率 | 0 - 20kHz | 外形尺寸 | 60 x 60 x 110mm | 連接器: Output & Trig. in | SMA | 脈沖發(fā)生器和偏轉(zhuǎn)器之間的電纜長度 | 500mm max. | 8. HVP50/80高壓普克爾斯盒Q開關驅(qū)動  階梯脈沖發(fā)生器 | HVP 50/80 | 輸出脈沖 | 電壓范圍 | 1 - 8 kV | 輸出電流 | 200 A | 電下降時間 | < 3 ns | 恢復時間 | 100 µs exponential | 輸出阻抗 | 50 W | 電流的時間 | 200 ns | 重復頻率 | 100Hz | 脈沖寬度 | 10 ns | 外部觸發(fā)輸入 | 振幅 | -3 V to + 3 V | 前沿的極性 | Positive or Negative | 輸入阻抗 | 50 ohm | 內(nèi)部延遲 | 40 ns | 同步輸出 | 振幅 | ³ 3 V into 50 ohms | 高電壓脈沖抖動 | 100 ps | 發(fā)生器內(nèi)部效率 | 重復頻率 | 0.1 Hz - 100 Hz | 脈沖終端負載(designed to correctly terminate a 50 ohm coaxial cable) | 交流阻抗 | 50 ohms nominal | 箱體 | 體積 (W x D x H) | 330 x 330 x 100 mm | 重量 | 4 kg | 環(huán)境溫度 | 范圍 | 0°C - 40°°C | Supply | 電源電壓 @ 50 or 60 Hz | 120 or 240 V ± 10% | 功率 | 50W | 啟動輸入 | 消除短路保護操作 | |