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單晶爐是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
中文名
單晶爐
外文名
monocrystal furnace
類 別
工業(yè)爐
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提拉頭：主要由安裝盤 減速機(jī) 籽晶腔 劃線環(huán) 電機(jī) 磁流體 籽晶稱重頭 軟波紋管等其他部件組成
? 副室：主要是副室筒以及上下法蘭組成
? 爐蓋：副室連接法蘭，翻板閥，觀察窗 抽真空管道 組成
? 爐筒：包括取光孔
? 下爐筒：包括抽真空管道
? 底架：全鑄鐵機(jī)架和底座
? 坩堝下傳動(dòng)裝置：主要由磁流體 電機(jī) 坩堝支撐軸 減速機(jī) 軟波紋管 立柱 上下傳動(dòng)支撐架 導(dǎo)軌 等部件組成
? 分水器已經(jīng)水路布置：包括分水器，進(jìn)水水管，若干膠管 水管卡套等
? 氬氣管道布置：質(zhì)量流量計(jì) 3根以上的柔性管 不銹鋼管 3個(gè)壓力探測器 高密封性卡套 等部件
? 真空泵以及真空除塵裝置：油壓真空泵 水環(huán)真空泵 過濾器 真空管道 硬波紋管等
? 電源以及電控柜：電源柜 濾波柜 控制柜 以及連接線
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單晶爐是一種在惰性氣體（氮?dú)?、氦氣為主）環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
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1.單晶爐裝料量（單臺機(jī)產(chǎn)能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯(cuò)密度） 5設(shè)備制造工藝控制保證 6自動(dòng)化控制程度 7設(shè)備主要關(guān)鍵部件的配置等 。
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單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的
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一、晶體直徑（尺寸）
二、溫度（功率控制）
三、原料（硅料）
四、泄漏率，氬氣質(zhì)量等
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單晶直徑在生長過程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護(hù)氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知。溫度分布合適的熱場，不僅單晶生長順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理,生長單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出zui合理的熱場，從而保證生產(chǎn)出來的單晶的品質(zhì)。在晶體生長分析與設(shè)計(jì)中，實(shí)驗(yàn)與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個(gè)部分：
（1）在*階段,利用引上法晶體生長實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整。
（2）在第二階段,利用數(shù)值模擬是用來確定*的晶體生長工藝參數(shù)。
數(shù)值仿真是用來獲得廉價(jià)的，完整的和全面細(xì)節(jié)的結(jié)晶過程，以此方法用來預(yù)測晶體生長,改善晶體生長技術(shù)。數(shù)值模擬是當(dāng)實(shí)驗(yàn)的費(fèi)用太昂貴或無法常規(guī)進(jìn)行時(shí)一種非常有用或*的方法。舉例來說，對于無經(jīng)驗(yàn)人員，可以形象化展示熔體流動(dòng)的歷史點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力細(xì)節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達(dá)到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場對晶體直徑，質(zhì)量要求的辦法。面向過程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過有效的計(jì)算機(jī)模擬可以設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作流程。通過對單晶爐熱場的仿真計(jì)算，優(yōu)化設(shè)計(jì)單晶爐的機(jī)械結(jié)構(gòu)，在拉晶過程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線，就可以在實(shí)際生產(chǎn)中是*可以生長出合格的單晶棒。
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