導電微晶靜電場描繪儀/ 型號:HAGVZ-4

一.知識準備

1． 關鍵詞：模擬法，靜電場，穩(wěn)恒電流場，等位線，電力線；

2． 用模擬法測繪靜電場分布的原理；

3． 高斯定律。

二．實驗目的           

        1、學習用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學形式的物理場；

      2、描繪出分布曲線及場量的分布特點；

      3、加深對各物理場概念的理解；

      4、初步學會用模擬法測量和研究二維靜電場。

主要技術參數(shù)：

1.     HAGVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電極

（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓印有極坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調節(jié)電壓，調節(jié)細度可達0.01V。

詳細說明20120506140619764.doc