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當前位置:北京恒奧德儀器儀表有限公司 >> HAGVZ-4導電微晶靜電場描繪儀 導電微晶靜電場描繪儀
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產品型號HAGVZ-4
品 牌
廠商性質生產商
所 在 地北京市
聯(lián)系方式:李海萍查看聯(lián)系方式
更新時間:2024-04-29 08:45:15瀏覽次數(shù):770次
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一.知識準備
1. 關鍵詞:模擬法,靜電場,穩(wěn)恒電流場,等位線,電力線;
2. 用模擬法測繪靜電場分布的原理;
3. 高斯定律。
二.實驗目的
1、學習用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學形式的物理場;
2、描繪出分布曲線及場量的分布特點;
3、加深對各物理場概念的理解;
4、初步學會用模擬法測量和研究二維靜電場。
主要技術參數(shù):
1. HAGVZ-4型為箱體和電源分離式,單筆測試,內置四種電極
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場)。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓印有極坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電極距離為8cm.
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍(直流)為7.00v—13.00V,分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調節(jié)電壓,調節(jié)細度可達0.01V。
詳細說明20120506140619764.doc
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