低噪聲近紅外雪崩光電探測器
? 高響應(yīng)率（900nm-1700nm）
? 20-350微米直徑
? 客戶封裝和襯底有效

低噪聲近紅外雪崩光電探測器

IAV202雪崩光電二極管
? 陶瓷小裝配
? 其它尺寸有效
? 200微米直徑
? 其它詳見如下說明
產(chǎn)品說明
客戶：任何人
NO. IAV202

詳細(xì)介紹

低噪聲近紅外雪崩光電探測器

• 高響應(yīng)率(900nm-1700nm)

• 20-350微米直徑

• 客戶封裝和襯底有效

低噪聲近紅外雪崩光電探測器

IAV202雪崩光電二極管

• 陶瓷小裝配

• 其它尺寸有效

• 200微米直徑

• 其它詳見如下說明

產(chǎn)品說明
客戶：任何人				NO. IAV202
				類型：雪崩光電二極管
CUST. DWG		PKG.		*陶瓷的		MAT InGaAs
器件標(biāo)志封裝標(biāo)志陶瓷的
(a) G
(b) IAV202
(C) DC
A類和/或性能特征
NO.	參數(shù)條件@23ºC±2°C		小	典型	大		單位
1	波長范圍		1000		1630		nm
2	響應(yīng)率@M=1 1550nm波長		0.85	0.9	0.95		A/W
3	暗電流@M=10			8	25		nA
4	工作電壓V_r@M=10		43	55	67		V
5	擊穿電壓V_br(I_d=10µA)		50	63	75		V
6	激活區(qū)直徑		200	205	210		µm
7	電容@M=10			1.8	2.2		pF
8	V_br的溫度系數(shù)(23°C)			0.075	0.080		V/°C
9	帶寬@M=5		0.5	1.5	2.0		GHz
10	帶寬@M=10		1	1.5	2.0		GHz
11	帶寬@M=20		0.5	1.0	1.5		GHz
12	過量噪聲因子F@M=10			3.2	3.7
13	過量噪聲因子F@M=20			5.5	6.0
14	噪聲等效功率NEP@M=10			0.032	0.1		pW/Hz^1/2
15	大條件
16	工作溫度范圍		-40		70		°C
17	存儲溫度范圍		-40		85		°C
18	大反向電流				1		mA
19	大正向電流		0		10		mA
20	光學(xué)輸入(10ns脈沖)				>200		kW/cm²
21	光學(xué)輸入(平均)				0		dBm
特殊要求
*陶瓷封裝略圖#13332, 200微米直徑激活區(qū)。
對于每一個單位，下列數(shù)據(jù)是要求的：擊穿電壓@10µA。工作電壓和暗電流增益=10,15和20，響應(yīng)率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *試驗條件@23°C±2°C

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