詳細(xì)介紹
用于FPD等剛性/柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)
玻璃基板沉積設(shè)備
低溫(150~300°C)處理
形成高質(zhì)量的SiO2薄膜:
低應(yīng)力、無等離子體損傷、小顆粒降低安裝和維護(hù)成本占地面積小
,無需真空或等離子處理價(jià)格低廉
日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設(shè)備
特征
這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng),支持FPD等剛性/柔性器件。
配備兩個(gè)氣頭,有效沉積寬度為760mm,采用吸附加熱階段,溫度可控性±2%以內(nèi)。
可以在4°C的5.250代玻璃基板上以100片/小時(shí)以上的產(chǎn)量形成2nm的SiO25薄膜,并且可以確保薄膜厚度均勻性在10%以內(nèi)。
性能
涂層厚度均勻性 | ±10% |
---|---|
支持的玻璃基板尺寸 | 4.5 生成 |
氣體種類 | SiH4,O 3, PH3, B2H6 |
沉積溫度 | 150~300°C |
主要技術(shù)指標(biāo)
設(shè)備尺寸 | 1300mm(寬) x 7350mm(深) x 2000mm(高) |
---|---|
氣頭 | 配備兩個(gè)氣頭,有效沉積寬度為 760 mm |