LPCVD低壓化學氣相淀積設備

式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，故可采用密集裝片方式來提高生產率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2 、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應用于半導體集成電路、電子電力、光電子及MEMS等行業(yè)的生產工藝中。

產品特點

◆  對工藝時間、溫度、氣體流量、閥門動作、反應室壓力實現自動控制

◆  采用進口壓力控制系統(tǒng)，閉環(huán)控制，穩(wěn)定性強

◆  采用進口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門，確保氣路氣密性

◆  具有完善的報警功能及安全互鎖裝置

◆  具有良好的人機界面，靈活的工藝性能

技術參數

◆  適用硅片尺寸：4～6＂

◆  工作溫度范圍：350～1000℃

◆  恒溫區(qū)長度及精度：760mm±1℃

◆  溫度梯度：0～30℃可調

◆  系統(tǒng)極限真空度：0.8 Pa

◆  工作壓力范圍：30Pa～133Pa可調

◆  淀積膜種類：Si3N4  Poiy-Si  SiO2

淀積膜均勻性

★  Si3N4   片內＜±6％ 片間＜±8％ 批間＜±8％

★  Poiy-Si 片內＜±5％ 片間＜±6％ 批間＜±5％

★  SiO2    片內＜±6％ 片間＜±7％ 批間＜±8％

LPCVD低壓化學氣相淀積設備