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上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕（IBE）應(yīng)用

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應(yīng)用 Kaufman & Robinson,Inc (KRi) End Hall

詳細(xì)介紹

上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源于離子刻蝕 (IBE) 應(yīng)用 Kaufman & Robinson,Inc (KRi) End Hall

上海伯東為美國(guó)考夫曼公司離子源離子槍 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 大中華總代理.美國(guó)霍爾離子源離子槍 EH200, EH400, EH1000, EH200, EH3000 系列不僅廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)單位,且因離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性,單次使用*, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易, 所以美國(guó)考夫曼霍爾離子源目前廣泛應(yīng)用于許多蝕刻制程及基板前處理制程.

客戶案例: 國(guó)內(nèi)某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備

系統(tǒng)功能: 對(duì)于 Fe, Se, Te , PCCO及多項(xiàng)材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2吋硅芯片.
實(shí)際安裝:

刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國(guó)考夫曼霍爾離子源 EH400HC

P1090003 P1090004

離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi).

P1090002 P1090001

離子源 EH400HC 控制單元操作離子源 EH400HC 實(shí)際點(diǎn)燃 (氬氣)

P1120015 P1120016

對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec

對(duì)于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 Å/Sec

霍爾離子源 EH400HC 優(yōu)點(diǎn):

高離子濃度 (High density), 低能量(Low energy)
離子束涵蓋面積廣 (high ion beam sharp)
鍍膜均勻性佳
提高鍍膜品質(zhì)
模塊化設(shè)計(jì), 保養(yǎng)快速方便
增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index)
全自動(dòng)控制設(shè)計(jì), 超做簡(jiǎn)易
低耗材成本,安裝簡(jiǎn)易

KRI離子源簡(jiǎn)介：
美國(guó)考夫曼公司離子源離子槍發(fā)明人 Dr. Kaufman 考夫曼博士將此* VEECO 生產(chǎn).于1978年考夫曼博士在美國(guó)自行創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc. (KRi) 美國(guó)考夫曼公司, 歷經(jīng)30年離子源離子槍之改良及研發(fā)并取得多項(xiàng),目前已在光學(xué)鍍膜 (Optical coating), IBAD (離子源助鍍), IBSD (離子濺鍍), IBE (離子刻蝕), DD(離子鍍膜)等等應(yīng)用大量使用.上海伯東為美國(guó)考夫曼公司離子源 離子槍 Kaufman & Robinson, Inc (KRi) 中國(guó)總代理

上海伯東主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品德國(guó) Pfeiffer渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應(yīng)用于各種條件下的真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管);氦質(zhì)譜檢漏儀；質(zhì)譜分析儀；真空系統(tǒng)以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRI Kaufman 考夫曼離子源離子槍

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