一、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備概述

　　隨著科技的進(jìn)步，電子工業(yè)也在迅速的發(fā)展，在芯片半導(dǎo)體的生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)于半導(dǎo)體清洗用水的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)也越來(lái)越高。超純水設(shè)備一般應(yīng)用于市政用水，處理成對(duì)不同離子的含量和顆粒度都有很高要求的超純水。

　　二、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn)

　　1、工藝的設(shè)計(jì)細(xì)微周到，元件的材質(zhì)、性能、設(shè)計(jì)的流量、流速、壓力等均符合國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范及國(guó)外材料商的規(guī)定要求。

　　2、制水過(guò)程高度自動(dòng)化，自動(dòng)進(jìn)水，自動(dòng)制水，純水箱滿水自動(dòng)停機(jī)，用水后自動(dòng)恢復(fù)，可實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守的運(yùn)行。

　　3、可選用可編程控制(PLC)，計(jì)算機(jī)觸摸屏控制，遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)采集及監(jiān)控等技術(shù)，使產(chǎn)品更具現(xiàn)代化特色。

　　三、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工藝流程

　　EDI工藝詳細(xì)描述：

　　來(lái)自城市水源的水中含有鈉、鈣、鎂、氯化物、硝酸鹽、碳酸氫鹽、二氧化硅等溶解鹽。這些鹽由帶負(fù)電的離子(anion)和帶正電的離子(cation)組成。98%以上的離子都可以通過(guò)反滲透(RO)處理得以去除。城市的水源還含有有機(jī)物、溶解氣體(如：O2、CO2)、微量金屬和其它微電離的無(wú)機(jī)化合物，這些雜質(zhì)在工業(yè)應(yīng)用過(guò)程當(dāng)中必須去除(如硼和硅)。RO系統(tǒng)和其預(yù)處理也可以去除許多這些雜質(zhì)。

　　RO反滲透純凈水設(shè)備產(chǎn)水的電導(dǎo)率理想范圍一般在4-20µS/cm，而根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，超純水或去離子水的電阻率一般在2-18.2MΩ.cm之間。通常，EDI進(jìn)水離子越少，其產(chǎn)品水質(zhì)量越高。

　　EDI工藝從水中去除不想要的離子，依靠在淡水室的樹(shù)脂吸附離子，然后將它們遷移到濃水室中。

　　離子交換反應(yīng)在模塊的淡水室中進(jìn)行，在那里陰離子交換樹(shù)脂釋放出氫氧根離子(OH-)而從溶解鹽(如氯化物、Cl-)中交換陰離子。同樣，陽(yáng)離子交換樹(shù)脂釋放出氫離子(H+)而從溶解鹽中(如鈉、Na+)交換陽(yáng)離子。

　　從水流中去除離子的吸附步驟，在模塊中的停留是有限的(近似10~15秒)。當(dāng)被吸附時(shí)，離子僅僅被外在的直流電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)遷移。

　　一個(gè)直流(DC)電場(chǎng)通過(guò)放置在組件一端的陽(yáng)極(+)和陰極(-)實(shí)現(xiàn)。電壓驅(qū)動(dòng)這些被吸收的離子沿著樹(shù)脂球的表面移動(dòng)，然后穿過(guò)離子選擇性膜進(jìn)入濃水室。直流電場(chǎng)也裂解水分子形成氫氧根離子和氫離子：

　　H2O=OH-+H+

　　離子交換膜由垂直線表示，這些垂直線根據(jù)離子穿透性的不同標(biāo)注成不同的幾項(xiàng)。因?yàn)檫@些離子選擇性膜不允許水穿過(guò)，所以他們對(duì)水流來(lái)說(shuō)是個(gè)屏障。

　　帶負(fù)電的陰離子(如OH-、Cl-)被吸引到陽(yáng)極(+),并且被陰極排斥。這些離子穿過(guò)陰離子選擇性膜，進(jìn)入相鄰的濃水室，而不會(huì)穿過(guò)相鄰的陽(yáng)離子選擇性膜，并滯留在濃水室，并隨濃水流出濃水室。在淡水室中帶正電的陽(yáng)離子(如H+、Na+)被吸引到陰極(-),并且被陽(yáng)極排斥。這些離子穿過(guò)陽(yáng)離子選擇性膜進(jìn)入臨近的濃水室，他們?cè)谀抢锉慌R近的陰離子選擇性膜阻擋，并隨濃水流出濃水室。

　　在濃水室中，仍然維持電中性。從兩個(gè)方向輸送過(guò)來(lái)的離子彼此相互中和。從電源流過(guò)來(lái)的電流跟移動(dòng)離子的數(shù)目成比例。水裂解離子(H+和OH-)和現(xiàn)存的離子都被遷移并且被加到所要求的電流之中。

　　當(dāng)水流流過(guò)兩種不同類型的腔體時(shí)，淡水室中的離子就會(huì)被去除，同時(shí)被收集到鄰近的濃水流之中，這就可以從模塊中帶走被去除了的離子。

　　在淡水室和(或)濃水室中使用離子交換樹(shù)脂是EDI的關(guān)鍵技術(shù)和。在淡水室中還會(huì)發(fā)生一個(gè)重要現(xiàn)象，在電勢(shì)梯度高的特定區(qū)域，電化學(xué)“分解”能夠使水產(chǎn)生大量的H+和OH-離子。這些區(qū)域中產(chǎn)生的H+和OH-離子在混合的離子交換樹(shù)脂中可以使樹(shù)脂和膜不斷再生，并且不需要外加化學(xué)試劑。

　　合格的反滲透純凈水設(shè)備對(duì)于EDI理想的性能表現(xiàn)和EDI系統(tǒng)工作是一個(gè)基本要求(實(shí)際上對(duì)于任何基于離子交換樹(shù)脂的去離子系統(tǒng)都是這樣)。進(jìn)水流中的污染物質(zhì)對(duì)去離子組件會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響，要么增加維修頻率，要么減少模塊的使用壽命。因此，RO反滲透系統(tǒng)的品質(zhì)和它的預(yù)處理是需要審定的。

　　四、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工程客戶案例

　　五、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

　　關(guān)于超純水設(shè)備的出水水質(zhì)有很多標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于不同企業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中所用到的純水水質(zhì)也有所不同。半導(dǎo)體行業(yè)要遵循我國(guó)電子工業(yè)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，并且還要達(dá)到一些國(guó)外的水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)等。而且還能達(dá)到美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)和德國(guó)、日本等標(biāo)準(zhǔn)，并且水質(zhì)穩(wěn)定不會(huì)造成二次污染。

　　半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備出水水質(zhì)符合美國(guó)ASTM純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、我國(guó)電子工業(yè)部電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級(jí)標(biāo)準(zhǔn))、我國(guó)電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)、日本集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。

　　六、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備施工方案

　　1) 合同簽訂后，10個(gè)工作日內(nèi)設(shè)備到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)，開(kāi)始施工。需要預(yù)付款。

　　2) 施工工期為7個(gè)工作日，設(shè)備全部完工不超過(guò)20個(gè)工作日。

　　3) 需方準(zhǔn)備情況：

　　原水量供應(yīng)要滿足設(shè)備要求用水量。

　　電源安排供方施工現(xiàn)場(chǎng)。

　　設(shè)備安裝所需排水位置。

　　4) 供方負(fù)責(zé)項(xiàng)目工程：

　　安裝項(xiàng)目包括：全套設(shè)備的安裝施工。

　　設(shè)備調(diào)試：供方負(fù)責(zé)設(shè)備調(diào)試，達(dá)到設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行。

　　培訓(xùn)：供方選派有豐富工作經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員為需方操作人員及技術(shù)人員培訓(xùn)。

　　注：安裝整套設(shè)備時(shí)供方會(huì)積極配合需方所要求的各項(xiàng)工作，需方應(yīng)為供方提供施工中的便利。

　　以上是半導(dǎo)體清洗超純水設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)及工藝流程的詳細(xì)分析，萊特萊德是集設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造于一體的綜合大型企業(yè)，廠家生產(chǎn)的超純水設(shè)備能夠長(zhǎng)期而穩(wěn)定的生產(chǎn)出符合質(zhì)量要求的用水，我們還提供各種行業(yè)專用的水處理設(shè)備，憑借多年的努力和發(fā)展、設(shè)備齊全、安裝和調(diào)試、優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)，竭誠(chéng)為廣大客戶服務(wù)。