食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng)>產(chǎn)品庫(kù)>食品檢測(cè)儀器>其它食品檢測(cè)儀器>其它未分類(lèi)>>IC芯片型號(hào)大全存儲(chǔ)IC 集成電路IC廠家

IC芯片型號(hào)大全存儲(chǔ)IC 集成電路IC廠家

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公司名稱(chēng)青島雙萊電子科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地青島市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2021/3/31 17:40:45
訪問(wèn)次數(shù)315

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IC芯片存儲(chǔ)IC 集成電路IC MRF151G 電子元器件

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青島雙萊電子科技有限公司位于品牌之都、啤酒之城，有著海上名山之稱(chēng)的青島.嶗山區(qū)。公司成立于2017年，隨著時(shí)間的推移公司發(fā)展不斷壯大，在電子產(chǎn)品、電子元器件的技術(shù)研發(fā)及銷(xiāo)售上我們始終本著為客戶(hù)提供好的產(chǎn)品、細(xì)致服務(wù)、貼心售后的信念不斷提升創(chuàng)新。公司主營(yíng)：電子產(chǎn)品、電子元器件、集成電路、半導(dǎo)體元器件、芯片、光電產(chǎn)品、太陽(yáng)能產(chǎn)品、儀器儀表配件、數(shù)字電視播放產(chǎn)品及通訊產(chǎn)品及配件的技術(shù)研發(fā)及銷(xiāo)售；干燥機(jī)、工業(yè)除濕機(jī)、凈化設(shè)備、機(jī)電機(jī)械、制冷設(shè)備的技術(shù)研發(fā)及銷(xiāo)售；智能交通產(chǎn)品、道路交通設(shè)施的技術(shù)研發(fā)與銷(xiāo)售；會(huì)議公共廣播設(shè)備、航空電子設(shè)備、測(cè)試設(shè)備的技術(shù)研發(fā)及銷(xiāo)售；辦公設(shè)備、電腦周邊產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、五金產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)及銷(xiāo)售；國(guó)內(nèi)進(jìn)出口貿(mào)易等。青島雙萊電子科技有限公司有著專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)、*的加工生產(chǎn)線、多樣化的好的產(chǎn)品、貼心的銷(xiāo)售及售后團(tuán)隊(duì)，我們服務(wù)的行業(yè)客戶(hù)包括通訊、能源、汽車(chē)、醫(yī)療、AI人工智能、3C數(shù)碼產(chǎn)品、教育設(shè)備等。從元器件的選型，技術(shù)咨詢(xún)及批量生產(chǎn)供應(yīng)的服務(wù)。為了滿(mǎn)足更多顧客的需求，我們不斷豐富產(chǎn)品線并將項(xiàng)目的形式組建更多產(chǎn)品線團(tuán)隊(duì)。目前電容、電阻、電感、二極管、晶振、鉭電容等系列。

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢(xún)價(jià)

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磁變存儲(chǔ)器Z有潛力的代表是自旋轉(zhuǎn)移力矩磁變存儲(chǔ)器(STT MRAM)。既有動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高性能，又能兼顧閃存的低功耗優(yōu)勢(shì)。存儲(chǔ)單元主體為磁性隧道結(jié)(MTJ)，有上下兩層磁性材料(如：鈷鐵合金)和中間的絕緣夾層(如：氧化鎂)所組成。其中一層為固定磁性層，另一層為自由磁性層。工作原理是由磁場(chǎng)調(diào)制上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行，從而建立兩個(gè)阻值各異的穩(wěn)定狀態(tài)。早期的磁性層磁矩平行于硅襯底表面，在尺寸縮小和成本方面缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。近年來(lái)結(jié)構(gòu)上更優(yōu)化的垂直磁矩型隧道結(jié)使得大規(guī)模制造成為可能，從而可望克服成本問(wèn)題。但是此技術(shù)面臨的Z挑戰(zhàn)仍然是磁變電阻兩個(gè)狀態(tài)之間的電阻差異比較微弱，無(wú)法應(yīng)用到大容量的多位存儲(chǔ)技術(shù)，大規(guī)模量產(chǎn)尚不明朗。TDK(日本)于2014年*展出了自旋轉(zhuǎn)移力矩磁變存儲(chǔ)器的原型，容量為8Mb，讀寫(xiě)速度是當(dāng)時(shí)NOR的7倍多(342MB/s VS 48MB/s)。那么IC產(chǎn)品型號(hào)有哪些呢常用IC型號(hào)大全：

MLX90614ESF-BAA-000-TU、MLX90614ESF-DCI-000-TU、MRF151G、MLX90614ESF、MAX809SN490T1G、DSPIC30F6014A-30I/PF、K9LBG08U0M-PCBO、BGT24MTR11E6327XUMA1、

EN80C196KB16、LMG7420PLFC-X、MAX3841ETG、FW82801EB-SL73Z、TMP92CF26AXBG、218S7EBLA12FG、LE82GM965-SLA5T、SIS963LUA、M-L-DEFIANTQCB2-DB、MML09212HT1、T6UJ9XBG-0002-L、STM32F407IGT6、SE742、PCI9054-AB50PI、PA136PGD、OPA656U、OPA627AU、NDV8501B2、MT5301BANU-BMSL、MSD7819-S02-L1、MN2WS0177、MC68302FC20C、LMZ31710RVQT、LM12CLK、LM3S6965-IQC50-A2、LGE3549P、INA111BU、HI3-7159A-5、EP20K60EQC208-2XN、EP2C8QC8N、EP1S20F780I6、EM8622L-LF、EM8470、DS1609、DS34RT5110SQE、DAC9881SRGET、DAC8803IDBT、DAC3482IRKDT、CLRC632、CDCLVP2108RGZT、BQ76PL536ATPAPTQ1、AT84AD001BITD、AM82801IUX、AFE4490RHAT、ADS8365IOAGR、ATMEGA256016AU、AT89C51SND1C-IL、AML7215、AFE4490RHAT

相變存儲(chǔ)器是基于材料相變引起電阻變化的存儲(chǔ)器。結(jié)構(gòu)上有電阻加熱器和相變層所組成。通入重置(RESET)寫(xiě)電流后，電阻加熱器使得相變層溫度迅速升高，在達(dá)到相變層熔點(diǎn)后較短時(shí)間內(nèi)，關(guān)閉寫(xiě)電流，使得材料快速冷卻，此時(shí)固定在非晶態(tài)，為高阻態(tài)。為了使相變層材料重新回到晶態(tài)，需要通入設(shè)置(SET)電流，相變層需要被加熱到結(jié)晶溫度和熔化溫度之間，使得晶核和微晶快速生長(zhǎng)。目前相變層材料的研究集中在GST系合金。由于重置寫(xiě)電流較大，相變存儲(chǔ)器的功耗較高，另外寫(xiě)電流時(shí)間較長(zhǎng)，寫(xiě)速度較慢。尋找新型相變材料來(lái)降低寫(xiě)電流，同時(shí)加快寫(xiě)速度和減少熱擾動(dòng)成為急需解決的難題。美光(美國(guó))曾于2012年宣布1Gb和512Mb的相變內(nèi)存的*量產(chǎn)，但是可能替代閃存的大容量相變存儲(chǔ)器由于各種技術(shù)原因，目前尚未問(wèn)世。

阻變存儲(chǔ)器作為Z重要的下一代新型存儲(chǔ)器，近十年來(lái)受到高度關(guān)注。阻變存儲(chǔ)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高速、低功耗和易于三維集成等優(yōu)點(diǎn)。存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)為上電極和下電極之間的電阻變化層。根據(jù)電阻變化層的材料，阻變存儲(chǔ)器可分為氧化物阻變存儲(chǔ)器和導(dǎo)電橋接存儲(chǔ)器。前者研究較為廣泛，*上已有數(shù)家公司展示了原型產(chǎn)品。2015年初 Crossbar(美國(guó))宣布其阻變存儲(chǔ)器開(kāi)始進(jìn)入商業(yè)化階段，初期準(zhǔn)備面向嵌入式市場(chǎng)，同時(shí)正加速進(jìn)行容量更大的下一代阻變存儲(chǔ)器研發(fā)，預(yù)計(jì)于2017年面世。美光(美國(guó))和索尼(日本)也在開(kāi)展阻變存儲(chǔ)器的聯(lián)合研發(fā)。從2007年起，每年半導(dǎo)體鄰域的幾個(gè)重要*會(huì)議(如IEDM和VLSI)均會(huì)報(bào)道的研發(fā)進(jìn)展。 2014年美光公布了27nm基于CMOS工藝制造的單顆容量16Gb阻變存儲(chǔ)器原型，但目前距離量產(chǎn)仍有較大距離。大規(guī)模量產(chǎn)的Z挑戰(zhàn)是實(shí)現(xiàn)較好的均勻性，提高產(chǎn)品良率和可靠性。另外，多位存儲(chǔ)的要求對(duì)電阻變化層的材料也提出了嚴(yán)峻的考驗(yàn)。大規(guī)模提高阻變存儲(chǔ)器容量，需要材料和結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步優(yōu)化和創(chuàng)新。