低噪聲近紅外雪崩光電探測(cè)器
IAV352雪崩光電二極管
• 陶瓷小裝配
• 350微米直徑
• 其它詳見如下說明
| 產(chǎn)品說明 | |||||||
| 客戶： 任何人 | NO. IAV352 | ||||||
| 類型：雪崩光電二極管 | |||||||
| CUST. DWG. | PKG. | *陶瓷的 | MAT InGaAs | ||||
| 器件標(biāo)志 | |||||||
| (a) G | |||||||
| (b) IAV350 | |||||||
| (C) DC | |||||||
| A類和/或性能特征 | |||||||
| NO. | 參數(shù)條件@23ºC±2°C | 小 | 典型 | 大 | 單位 | ||
| 1 | 波長(zhǎng)范圍 | 1000 | 1630 | nm | |||
| 2 | 響應(yīng)率@M=1 1550nm波長(zhǎng) | 0.85 | 0.9 | 0.95 | A/W | ||
| 3 | 暗電流@M=10 | 30 | 250 | nA | |||
| 4 | 工作電壓Vr@M=10 | 37 | 52 | 68 | V | ||
| 5 | 擊穿電壓Vbr(Id=10µA) | 45 | 60 | 75 | V | ||
| 6 | 激活區(qū)直徑 | 350 | 352 | 355 | µm | ||
| 7 | 電容@M=10 | 3.2 | 4.0 | pF | |||
| 8 | 帶寬@M=5 | 0.6 | GHz | ||||
| 9 | 帶寬@M=10 | 0.6 | GHz | ||||
| 10 | 帶寬@M=20 | 0.6 | GHz | ||||
| 11 | 過量噪聲因子F@M=10 | 3.2 | 3.7 | ||||
| 12 | 過量噪聲因子F@M=20 | 5.5 | 6.0 | ||||
| 13 | 噪聲等效功率NEP@M=10 | 0.08 | pW/Hz1/2 | ||||
| 14 | 大條件 | ||||||
| 15 | 工作溫度范圍 | 0 | 70 | °C | |||
| 16 | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -40 | 85 | °C | |||
| 17 | 大反向電流 | 1 | mA | ||||
| 18 | 大正向電流 | 0 | 10 | mA | |||
| 19 | 光學(xué)輸入(平均) | 0 | dBm | ||||
| 特殊要求 | |||||||
*陶瓷小裝配略圖#13344, 350微米直徑激活區(qū)。 對(duì)于每一個(gè)單位，下列數(shù)據(jù)是要求的：擊穿電壓@10µA。工作電壓和暗電流增益=10,15和20,響應(yīng)率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *試驗(yàn)條件@23°C±2°C | |||||||
