石墨烯高剪切膠體磨,石墨烯研磨設(shè)備,石墨烯實驗室均質(zhì)機(jī),石墨烯高剪切剝離設(shè)備,石墨烯膠體磨
一、石墨烯概述
石墨烯(Graphene)是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一個碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上薄卻也是堅硬的納米材料,幾乎*透明,只吸收2.3%的光;導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m,高于碳納米管和金剛石,常溫下其電子遷移率超過15000cm2/Vs,又比納米碳管或硅晶體高,而電阻率只約10-8Ω/m,比銅或銀更低,為世上電阻率小的材料。
二、石墨烯剝離方法
1.機(jī)械剝離法
2.化學(xué)氣相沉積法(CVD)
3.氧化-還原法
(洽談:1-3-3-3-8-6-8-4-9-5-1)
氧化-還原法是指將天然石墨與強(qiáng)酸和強(qiáng)氧化性物質(zhì)反應(yīng)生成氧化石墨(GO),經(jīng)過超聲分散制備成氧化石墨烯,然后加入還原劑去除氧化石墨表面的含氧基團(tuán)后得到石墨烯。氧化-還原法制備成本較低容易實現(xiàn),成為生產(chǎn)石墨烯的主流方法。但是該方法所產(chǎn)生的廢液對環(huán)境污染比較嚴(yán)重,所制備的石墨烯一般都是多層石墨烯或者石墨微晶而非嚴(yán)格意義上的石墨烯,并且產(chǎn)品存在缺陷而導(dǎo)致石墨烯部分電學(xué)和力學(xué)性能損失。
4.溶劑剝離法
溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中形成低濃度的分散液,利用超聲波的作用破壞石墨層間的范德華力,溶劑插入石墨層間,進(jìn)行層層剝離而制備出石墨烯。此方法不會像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結(jié)構(gòu),可以制備高質(zhì)量的石墨烯。缺點是成本較高并且產(chǎn)率很低,工業(yè)化生產(chǎn)比較困難。當(dāng)然,石墨烯的制備方法還有溶劑熱法、高溫還原、光照還原、外延晶體生長法、微波法、電弧法、電化學(xué)法等,這些方法都不及上述四種方法普遍。不要混淆!??!還原氧化石墨烯,即RGO。一般來說,氧化石墨烯是由石墨經(jīng)強(qiáng)酸氧化,然后再經(jīng)過化學(xué)還原或者熱沖擊還原得到。目前市場上所謂的“石墨烯”絕大多數(shù)都是通過氧化-還原法生產(chǎn)的氧化石墨烯,石墨片層數(shù)目不等,表面存在大量的缺陷和官能團(tuán),無論是導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性還是機(jī)械性都跟獲得諾貝爾獎的石墨烯是兩回事。嚴(yán)格意義上而言,它們并不能稱為“石墨烯”。制備石墨烯的方法有很多。但歸納起來兩大類,一類是從大往小做,也叫自上而下法。例如,以石墨為原料,通過膠帶粘貼、氧化還原、液相插層和機(jī)械剝離等手段破壞石墨晶體的長程有序堆疊,得到單層或少數(shù)幾層的石墨烯。另一類是從小往大長,也叫自下而上法。例如,以含碳小分子等為前驅(qū)體,采用化學(xué)氣相沉積、外延生長和有機(jī)合成等方法將碳素組裝成石墨烯。
當(dāng)前相對成熟的技術(shù)分別是,以氧化還原和液相插層為代表的大規(guī)模粉體,和以化學(xué)氣相沉積為代表的大面積薄膜。兩者生產(chǎn)工藝*不同,而產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域也基本不重疊。前者通常以重量來計,可達(dá)公斤至噸級,產(chǎn)品剝離效率高、比表面積大、成本低,但缺陷多、可控性差,一般用作鋰電池和超級電容器電極導(dǎo)電填料,或用于塑料、油墨、涂料、金屬和陶瓷等多種基體的增強(qiáng)或功能填料,形成納米復(fù)合材料。而后者通常以面積來計量,依托其高透光率和面向電導(dǎo)率,通常作為透明電極用于觸摸屏和光伏等領(lǐng)域。
對于第二點,我想大家談的比較多了,這是產(chǎn)品出路和價值體現(xiàn)的問題,非常關(guān)鍵,但也很難。作為一種新材料,石墨烯的*年屬于應(yīng)用發(fā)散期,即大家認(rèn)為石墨烯幾乎是*的,然后在不同領(lǐng)域嘗試應(yīng)用,是在做加法。目前,我們已步入應(yīng)用集中期,要開始做減法了,因為大部分潛在應(yīng)用在實踐中被證實并無實用價值,或是技術(shù)上,或是商業(yè)上。在這個階段,產(chǎn)業(yè)鏈上下游的互動非常必要。我們必須面向用戶進(jìn)行二次開發(fā),去解決分散和成型等共性技術(shù)難題,讓石墨烯更接“地氣”。終交給用戶的,不僅是高品質(zhì)的材料,還有配套的應(yīng)用解決方案,也就是solution。
三、石墨烯機(jī)械剝離法
均質(zhì)機(jī)(包括乳化機(jī))剝離制備石墨烯是利用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的能量,使石墨材料受到強(qiáng)烈的機(jī)械及液力剪切、高速撞擊剝離、離心擠壓力、液層摩擦和氣蝕等綜合作用下,使石墨層與層之間產(chǎn)生晶面水平錯位和滑移運動,進(jìn)而將石墨快速剝離,經(jīng)過高頻的循環(huán)往復(fù),終得到穩(wěn)定的石墨烯。
四、石墨烯高剪切膠體磨
(太倉希德可提供實驗室型、小型中試設(shè)備及生產(chǎn)型設(shè)備)
太倉希德機(jī)械科技有限公司,陸文才。
1. 產(chǎn)品介紹
膠體磨是濕式超微粒加工的第二代新型設(shè)備
適用于各類乳狀液的均質(zhì)、乳化、分散、混合、粉碎、研磨。
廣泛應(yīng)用在食品(果漿、果汁、蛋白奶、豆奶、奶茶、乳制品、飲料等)、制藥(各型糖漿、營養(yǎng)液、中成藥、膏狀藥劑等)、日用化工(牙膏、化妝品、洗滌劑等)、化工(顏料、染料、潤滑劑、石油催化劑等)、乳化瀝青、煤炭浮選機(jī)、陶瓷軸料、納米材料等行業(yè)。
循環(huán)管:適合稀的物料,且需要循環(huán)回流研磨,如豆?jié){,綠豆飲料等。
方 口:適合中高濃度,不需要回流研磨,如花生醬,辣椒醬等。
1、不銹鋼轉(zhuǎn)定子高速研磨其中一個高速旋轉(zhuǎn),另一個靜止使物料通過齒形斜面之間的物料受到*的剪切力和摩擦力。
2、產(chǎn)量大小是由物料的濃度和粘度決定?膠體磨其主要構(gòu)造由磨心部件、底座傳動部、電機(jī)三部分組成。其中磨心部分的動磨心及靜磨心是本機(jī)的關(guān)鍵部分。所以根據(jù)被處理的物料性質(zhì)不同選型可能有所區(qū)別。
3、衛(wèi)生食品級不銹鋼材質(zhì),除電機(jī)外凡與物料相接處的零部件全部采用不銹鋼制成,尤其關(guān)鍵的動、靜磨盤進(jìn)行強(qiáng)化處理,因此具有良好的耐腐蝕、耐磨性,使所加工的物料無污染衛(wèi)生清潔。
4、膠體磨是處理精細(xì)物料的理想的加工設(shè)備,膠體磨產(chǎn)品設(shè)計緊湊/外形美觀、密封良好、性能穩(wěn)定、操作方便、生產(chǎn)效益高等。
5、精細(xì)超微粒粉碎的較高效益,采用剪切、研磨及高速攪拌作用力,粉碎研磨依靠磨盤齒形斜面的相對運動而成。
6、膠體磨目前的國內(nèi)濕法粉碎理想的設(shè)備在高頻振動和高速旋渦等復(fù)雜力的作用下使物料研磨、乳化、粉碎、混合、分散和均質(zhì)。
7、膠體磨型號大小決定其產(chǎn)量多少?膠體磨的流量不是恒定的,不同濃度、粘度的物料其流量變化很大。如:同樣的設(shè)備在處理粘稠的漆類物料和稀薄的乳類流體時,流量可相差10倍以上。
型號 | 加工細(xì)度 | 產(chǎn)量t/h | 磨盤直徑 | 冷卻水管 | 出口 | 進(jìn)口 | 電機(jī)轉(zhuǎn)速 | 電機(jī)功率 | 重量 | 外形尺寸 |
SJMF-50 | 2-40 | 0.01-0.1 | 50 | 10 | 20 | 30 | 2900 | 1.5 | 60 | 255×500×700 |
SJMF-65 | 2-40 | 0.02-0.5 | 65 | 10 | 20 | 30 | 2900 | 1.5/2.2 | 60 | 500×345×675 |
SJMF-80 | 2-40 | 0.3-1 | 80 | 12 | 25 | 48 | 2900 | 3 | 150 | 700×570×920 |
SJMF-100 | 2-40 | 0.5-2 | 100 | 12 | 25 | 66 | 2900 | 5.5/7.5 | 240 | 800×645×900 |
SJMF-120 | 2-40 | 0.5-3 | 120 | 12 | 32 | 66 | 2900 | 7.5 | 250 | 800×645×900 |
SJMF-140 | 2-40 | 0.5-4 | 140 | 12 | 32 | 66 | 2900 | 7.5/11 | 275 | 800×750×1020 |
SJMF-200 | 2-40 | 1-10 | 200 | 12 | 38 | 100 | 2900 | 15/18.5 | 400 | 900×850×1200 |
SJMF-280 | 2-40 | 3-20 | 250 | 12 | 65 | 120 | 2900 | 22 | 595 | 1140×900×1850 |
注:(F分體/L立式/W臥式)產(chǎn)品在不影響基本結(jié)構(gòu)及性能的改進(jìn)是,恕不另行通知,產(chǎn)量按照物流性質(zhì)而變化。僅供參考(水流量)JM-65型及JM-50型可裝配220V電壓電機(jī),3kw以上電機(jī)全為380V電壓。