美國sinton Suns-Voc少子壽命測試儀WCT-120

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灣邊貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng)美國sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀

 美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀器采用了*的測量和分析技術(shù)，包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance (QSSPC)測量方法。可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個高度被看待的研究和過程工具。QSSPC終身測量也產(chǎn)生含蓄的打開電路電壓(對照明)曲線，與zui后的I-V曲線是可比較的在一個太陽能電池過程的每個階段。Sinton WCT-120

美國sinton Suns-Voc少子壽命測試儀WCT-120

WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測少子壽命的原理？

WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）

準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法（QSSPC）和微波光電導(dǎo)衰減法（MWPCD）的比較？ 
  QSSPC方法*于其他測試壽命方法的一個重要之處在于它能夠在大范圍光強變化區(qū)間內(nèi)對過剩載流子進行測量，同時可以結(jié)合 SRH模型，得出各種復(fù)合壽命，如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。Sinton WCT-120
  MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結(jié)合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關(guān)系曲線，并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對于壽命分布不均勻的樣品來說，結(jié)果并不具備代表性。Sinton WCT-120

WCT-120

美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀的主要特點:
適應(yīng)低電阻率樣片的測試需要，zui小樣品電阻率可達0.1ohmcm
全自動操作及數(shù)據(jù)處理
對太陽能級硅片，測試前一般不需鈍化處理
能夠測試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
可以選擇測試樣品上任意位置
能提供的表面化學(xué)鈍化處理方法
對各道工序的樣品均可進行質(zhì)量監(jiān)控：
硅棒、切片的出廠、進廠檢查
擴散后的硅片
表面鍍膜后的硅片以及成品電池

1. 測量原理  QSSPC（準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)）  
2. 少子壽命測量范圍  100 ns-10 ms
3. 測試模式：QSSPC,瞬態(tài)，壽命歸一化分析
4. 電阻率測量范圍  3–600 (undoped) Ohms/sq.
5. 注入范圍：1013-1016cm-3
6. 感測器范圍 直徑40-mm
7. 測量樣品規(guī)格 標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm （或更小尺寸）
8. 硅片厚度范圍  10–2000  μm
9. 外界環(huán)境溫度  20°C–25°C
10. 功率要求 測試儀: 40 W   電腦控制器：200W 光源：60W
11. 通用電源電壓  100–240 VAC 50/60 Hz

美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀

源自：深圳市灣邊貿(mào)易有限公司

備注：所列價格并非成交價，如有疑問，敬請！

美國Sinton WCT-120 Suns-Voc少子壽命測試儀