脫鹽設(shè)備 電容析水處理器 現(xiàn)場工況

某循環(huán)冷卻水循環(huán)量Qr為1000m3/h，循環(huán)水電導(dǎo)率為1800μs/cm，濃縮倍數(shù)為3倍，冷卻塔進(jìn)出溫差為5℃。當(dāng)?shù)毓I(yè)用水為5元/噸。

濃縮倍數(shù)N=補(bǔ)水量/（排污水量+風(fēng)吹飛濺損失量）

             蒸發(fā)損失量—Qe=k×T×Qr

             排污水量——Qb=Qe/(N-1)-Qf

             風(fēng)水飛濺損失Qf約為循環(huán)總量的0.1%

               T —進(jìn)出冷卻塔溫差

              K —?dú)鉁叵禂?shù)（依據(jù)當(dāng)?shù)氐臍夂驐l件取系數(shù)值0.15%）

水量計(jì)算

             蒸發(fā)損失量—Qe=k×T×Qr=1000×5×0.15%=7.5m3/h

             風(fēng)吹飛濺損失Qf=1 m3/h

             排污水量——Qb=Qe/(N-1)-Qf=7.5/（3-1）-1=2.75m3/h

經(jīng)濟(jì)效益分析

脫鹽設(shè)備 電容析水處理器

電容析過程是電化學(xué)過程和滲析擴(kuò)散過程的結(jié)合；在外加直流電場的驅(qū)動(dòng)下，利用離子交換膜的選擇透過性(即陽離子可以透過陽離子交換膜，陰離子可以透過陰離子交換膜)，陰、陽離子分別向陽極和陰極移動(dòng)。離子遷移過程中，若膜的固定電荷與離子的電荷相反，則離子可以通過；如果它們的電荷相同，則離子被排斥，從而實(shí)現(xiàn)溶液淡化、濃縮、精制或純化等目的

MCDI膜電極優(yōu)點(diǎn)：

• MCDI電吸附脫鹽的過程中，陰膜只能透過陰離子，陽離子被阻隔，陽膜只能透過陽離子，陰離子被阻隔。

• MCDI在脫附離子時(shí)，當(dāng)反接電極后，離子膜會(huì)阻止離子吸附到對(duì)面極板上，所以離子會(huì)脫附的更*，因此這也在連續(xù)的吸脫附過程中增加了電吸附裝置的脫鹽能力。

• 膜碳電極之間的距離只是一層隔膜，幾乎為零，改變了老式裝置電極片之間設(shè)有蛇形或其他形式的液體通道結(jié)構(gòu)，被處理的廢水從四周一層一層漫過電極片進(jìn)行吸附，該模塊zu大的好處是拆卸容易，可以隨時(shí)根據(jù)需要調(diào)整膜電極的對(duì)數(shù)，而且電極片之間距離很近，使其在通過較大流速溶液時(shí)對(duì)離子仍然有較好的吸附能力。